实训第二讲-赵sdsd[共41页]

1CMOS模拟集成电路实训第二讲东南大学集成电路学院IC实验室yunjuanyunsan@163.com2Lab1-电流源负载共源级放大器Lab1-两级运放的设计和仿真321()(1)2dsgstdsWIKVVVLoxKC：是电子或空穴的迁移率2F/)Coxcm：单位面积栅氧化物电容（03.9oxoxoxoxCttox:二氧化硅介电常数0F=8.85410-14/cm，自由空间介电常数因此需要在工艺库中查找的或计算得出的参数有：oxttV：栅氧厚度：阈值电压：沟道长度调制...