电力电子技术及其应用概论(校选课)电力电子技术及其应用概论IntroductiontoPowerElectronicsanditsApplication机械工程及自动化学院机电工程系隊硕(shiiochen@fzii・edu・cn)办公地点：机械楼北4051电力电子技术及其应用概论（校选课）课件信箱：power_elec@yahoo.cn密码：xi33032电力电子技术及其应用概论（校选课）第三章电力电子器件、变换电路及其应用1•半导体器件的工作原理2.电力电子器件介绍3.交流一直流变换电路（整流...
器件应力降额总规范艾默生网络能源有限公司1/15修订信息表版本修订人修订时间修订内容V2.0刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、凌太华、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、黎晓东、艾项德、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥2002-11-301、产品保修期等级及I、II工作区定义；2、器件应力考核点定义及考核系数调整；3、增加“器件考核点的测试或计算”说明；4、器件应力降额查检表修改和调整；5、增加器件关键用法查检；6、增...
半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二极管...
半导体器件常用型号参数解析一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度确实定变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二...
真空器件测试及设备学问培训一、真空器件的根本学问概论：1、荫罩式彩管的工作原理：电子枪阴极放射出的电子经电子透镜聚焦和阳极高电压的加速后，形成三束高速电子束，在荫罩处相见，通过荫罩孔打到各自对应的荧光粉上，使荧光粉受到鼓励而发光。在一组偏转线圈分别同时加上行和帧的扫描信号后，电子束受偏转磁场作用，在屏幕上扫出均匀发光的光栅。彩管工作时，三个阴极上分别加上受图像信号调制的三基色视频信号，电子枪发出...
日期：02.12.02版号：15第页共页程序说明书深圳桑达国际电子器件章节号：COP7.3-3Y-ABCDEFG-HIJK123LMY-ABCDEFG-HIJK123LMASY-BOL-CASE-CCD-CCM-CCT-CCXCTA-CTD-CHR-CMP-CX-CY-DBA-DBT-DFA-DFT-DSA-DGA-DTA-DZA-FUSE-HDR-HSI-AssemblyDrawing装配图BoardOutline板外观尺寸图Cases外壳CeramicDiscCapacitor陶瓷电容MonolithicCeramicCapacitor独石陶瓷电容，封装1206封装0805封装0603TantalumCapacitor(1of2)钽电容1/2TantalumCa...
封装应力引起的器件特性变动东北大学三浦英生半导体封装器件和模组生产完成后，将会发生由组成材料的线膨胀系数差异所引起的、作用于硅芯片上的热应力。在此热应力的作用下，一些封装前后的半导体封装器件的性能将会发生大的变化。应力引起的封装器件特性的变化半导体器件的根本特性是由半导体结晶的能带隙〔Bandgap〕所打算的。该能带隙与构成结晶格子的原子排列挨次的规章性相关，结晶构造受外力等的作用就会发生变形〔歪斜〕...
24/3/29模拟电子技术根底北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院主讲：赵建辉第一章常用半导体器件(2)三极管原理与应用24/3/291.1半导体根底学问1.2半导体二极管1.3双极型晶体管1.4场效应管1.5单结晶体管和晶闸管1.6集成电路中的元件第1章常用半导体器件本节课内容24/3/291.3双极型晶体管(三极管)重点：晶体管放大原理、特性曲线。难点：1.晶体管电流安排及把握2.晶体管输入输出曲线3.晶体管主要参数及意义重点难点1.3.1晶体管...
2023半导体物理器件期末考试试题全半导体物理器件原理〔期末试题大纲〕指导教师：陈建萍一、简答题〔共6题，每题4分〕。代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，由于它不存在任何可动的电荷，为耗尽区〔空间电荷区的另一种称呼〕。2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分别而具有的电容充放电效应，即反偏Fpn结的电容。3、Pn结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流快速增大的现象。4、欧姆接触...
ICS31.120CCSL47DB42湖北省地方标准DB42/T2161—2023新型显示器件喷墨打印技术通用要求Generalrequirementsfortheinkjetprintingtechnologyofnewdisplaydevices2023-12-23发布2024-02-23实施湖北省市场监督管理局发布DB42/T2161—2023I目次前言................................................................................III1范围...............................................
标准下载ICS83.180CCSG39团体标准T/ZZB3374—2023LED照明器件用缩合型有机硅密封胶CondensedsiliconesealantsforLEDlightingdevice2023-11-10发布2023-11-25实施浙江省质量协会发布标准下载标准下载T/ZZB3374—2023I目次前言............................................................................II1范围....................................................
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