![MRAM原理[共6页]](https://www.peiji.com/assets/images/load.png)
/0/1数据的写入。后者利用了自旋转移矩效应（MRAM记录单元,利用自旋转移矩效应实现2第四层钉扎层：采用反铁磁材料,常用FeMn、IrMn、NiMn、MnPt、Fe2O3等。在这一结构中,钉扎层与被钉扎层之间有很强的交换耦合作用,因此被钉扎层的磁矩方向被钉扎在某一个方向而很难被改变。与此同时,被钉扎层和自由层之间由于隔离层的作用,平行时,电阻最小,输出为“0,”当反平行时,输出为“1由于此两种结构的被钉扎层和固定层的磁场方向都是固定...
/0/1数据的写入。后者利用了自旋转移矩效应（MRAM记录单元,利用自旋转移矩效应实现第四层钉扎层：采用反铁磁材料,常用FeMn、IrMn、NiMn、MnPt、Fe2O3等。在这一结构中,钉扎层与被钉扎层之间有很强的交换耦合作用,因此被钉扎层的磁矩方向被钉扎在某一个方向而很难被改变。与此同时,被钉扎层和自由层之间由于隔离层的作用,平行时,电阻最小,输出为“0,”当反平行时,输出为“1”。由于此两种结构的被钉扎层和固定层的磁场方向都是固...
