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  • 5-模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路

    5-模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路

    15.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.1.1N沟道增强型MOSFET5.1.5MOSFET的主要参数5.1.2N沟道耗尽型MOSFET5.1.3P沟道MOSFET5.1.4沟道长度调制效应2P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道(耗尽型)FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道场效应管的分类:35.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构(N沟道)L:沟道长度W:...

    2024-04-2601.47 MB0
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