宽禁带半导体项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位..............................
中国科学院微电子研究所宽禁带半导体电力电子器件研究主要内容一、国内外发展现状与趋势二、研究内容、拟解决的技术难点和创新点三、研究目标、技术指标四、研究方法、技术路线和可行性分析五、年度进展安排宽禁带半导体材料优越的物理化学特性表1几种SiC多型体及其它常见半导体材料的性能比较特征SiGaAs3C-SiC4H-SiC6H-SiCGaN禁带宽度(eV)1.121.432.43.263.03.4相对介电常数11.812.59.72109.669.5热导率(W/Kcm)1.50.543.23.74....
宽禁带半导体功率器件刘海涛陈启秀摘要阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。关键词宽禁带半导体功率器件碳化硅金刚石WideBandgapSemiconductorPowerDevicesLiuHaitao,ChenQixiu(InstituteofPowerDevices,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027)AbstractThepaperpresentsthemaincharacteristicsofwidebandgapsemiconductors,andelabo...
