集成光电子器件项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位............................
电子器件产业园项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位............................
光控微电子器件项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位............................
柔性电子器件项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位..............................
发光电子器件项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位..............................
中国科学院微电子研究所宽禁带半导体电力电子器件研究主要内容一、国内外发展现状与趋势二、研究内容、拟解决的技术难点和创新点三、研究目标、技术指标四、研究方法、技术路线和可行性分析五、年度进展安排宽禁带半导体材料优越的物理化学特性表1几种SiC多型体及其它常见半导体材料的性能比较特征SiGaAs3C-SiC4H-SiC6H-SiCGaN禁带宽度(eV)1.121.432.43.263.03.4相对介电常数11.812.59.72109.669.5热导率(W/Kcm)1.50.543.23.74....
电力电子技术(PowerElectronics)电力电子器件武汉科技大学信息科学与工程学院24/4/261第2章电力电子器件电力电子技术(PowerElectronics)电力电子器件武汉科技大学信息科学与工程学院24/4/262第一节电力电子器件概述第一节电力电子器件概述第二节不可控器件第二节不可控器件————电力二极管电力二极管第三节半控型器件第三节半控型器件————晶闸管晶闸管第四节第四节典型全控型器件典型全控型器件第五节其他新型电力电子器...
12.5库仑堵塞与单电子器件1.定义当体系尺度进到纳米级（金属粒子为几个纳“米，半导体粒子为几十纳米），体系电荷量子化〞，即充电放电过程是不连续的，前一个电子对后一个电子的库仑排斥能EC（库仑堵塞能）极大，导致一个一个单电子的传输，电子不能集体传输，这种单电子输运行为称为库仑堵塞效应库仑排斥能EC???库仑排斥能EC???2充一个电子作功：充一个电子作功：对于孤立导体，其电位差是指相对于地球的电势，若其电量为Q，...
电力电子技术(PowerElectronics)电力电子器件武汉科技大学信息科学与工程学院24/4/261第2章电力电子器件电力电子技术(PowerElectronics)电力电子器件武汉科技大学信息科学与工程学院24/4/262第一节电力电子器件概述第一节电力电子器件概述第二节不可控器件第二节不可控器件————电力二极管电力二极管第三节半控型器件第三节半控型器件————晶闸管晶闸管第四节典型全控型器件第四节典型全控型器件第五节其他新型电力电子器...
(1-1)1.4电力电子器件的驱动电路控制电路之间的接口关状态，缩短开关时间，减小开关靠性和平安性都有重要的意义。为电力电子器件所要求的开通或关断的信号，及必要的隔离电路。信号。信号，又要提供关断控制信号。0电力电子器件驱动电路概述驱动电路(1-2)ERERERa)b)c)UinUoutR1ICIDR1R1光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型3）、隔离电路：一般采用光隔离或磁隔离。●光隔离一般采用光耦合器●磁隔离的元件通常是...
第1页共2页电子器件失效分析--学习心得金属失效分析金属材料失效分析一：金属失效分析概述（003）在金属材料检测中，失效分析是一门新兴发展中的学科，在提高产品质量，金属材料检测技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义，失效分析主要含有金属材料、热处理、焊接、材料加工与成型、机械设计、材料力学、无损检测等不同的专业。科标无机检测中心提供金属失效分析方面的相关服务。二：具体检测项目金...
第1页共4页书山有路勤为径，学海无涯苦作舟。电力电子器件的发展与应用摘要。电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，其类型非常的多样，在各个领域中都有着广泛的应用，是弱电与强电、信息与电子、传统产业与现代产业完美结合的媒介。本文主要针对电力电子器件及其应用现状和发展趋势进行分析、关键词：电力电子器件；应用现状；发展趋势随着科学技术的不断进步，电力...
第1页共3页电子器件失效分析--学习心得金属材料失效分析★★★★★微谱检测：中国权威检测机构★★★★★----------专业进行金属材料失效分析微谱检测是国内最专业的未知物剖析技术服务机构，拥有最权威的图谱解析数据库，掌握最顶尖的未知物剖析技术，建设了国内一流的分析测试实验室。首创未知物剖析，成分分析，配方分析等检测技术，是未知物剖析技术领域的第一品牌。上海微谱化工检测技术有限公司，是一家专业从事材料分析...
第1页共4页电子器件失效分析--学习心得材料的疲劳断裂失效与预防摘要。本文从材料疲劳断裂的研究发展，破坏特点及断口分析材料疲劳断裂的原因，并介绍材料疲劳断裂的预防。关键词：疲劳断裂断口预防前言作为科技支柱之一的材料技术的发展直接关系到国家经济、科技的发展水平，材料失效问题普遍存在于各类材料中，它直接影响着产品的质量，关系到企业的信誉和生存。材料失效分析的建立是发达国家工业革命的一个重要起点，材料的...
LED显示器件的原理与性能研究CIE色度图LED（Light-EmittingDiode）发光二极管LED大屏显示LED内部结构示意图固体能带理论Pn结及电子空穴符合发光理论白光LED目录1.发光的分类2.Pn结3.复合发光理论1.LED结构3.发光原理4.前景展望与技术革新1.能带理论2.掺杂2.LED蓝光芯片生长方法相关简介结构简介能带理论的提出：固体的力、热、光和电磁学性能与其内部的电子运动状态密切相关1900年特鲁德（P.Drude）提出经典自由电子模型：成...
博视研究报告网专业行业研究、投资咨询、市场调研、企业竞争情报、商业资讯http://www.boss-report.comTEL:010-81809229MAIL：boss-report@163.com【报告名称】:2010-2012年电子器件制造行业全景调研及领先企业分析【完成日期】:2010年5月【中文版价格】:打印版：3000元；电子版(pdf)：3500元；两版合价:4000元；【交付方式】:报告email电子pdf版（12小时内交付）；快递打印版【报告编号】：SJK-F-100504-318欢迎来电咨询：010-...
WORD格式整理GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序点击次数：181发布时间：2011-3-114:24:07GJB548B-2005代替GJB548A-1996中华人民共和国国家军用标准微电子器件试验方法和程序Testmethodsandproceduresformicroelectronicdevice方法1009.2盐雾(盐汽)1目的本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验1.1术语和定义1.1.1腐蚀corrosion指涂层和(或)底金属由于化学或电化学的作用而逐渐地损坏1.1.2腐蚀部位corrosion...
