2024年哈尔滨恒昌电子技术有限责任公司招聘笔试冲刺题（带答案解析）【下载须知】：1，本套练习包含以下题型：言语理解与表达题、常识判断题、数量关系题、判断推理题和资料分析题等题型；共135道。2、本套试题根据常见招考题总结归纳，主要用于练习答题思路和拓展知识面。3、本套试题非考试真题，且与哈尔滨恒昌电子技术有限责任公司无关。一、第一部分言语理解与表达（本部分包括表达与理解两方面的内容。请根据题目要求，在...
2024年西安电力电子技术研究所有限公司招聘笔试冲刺题（带答案解析）【下载须知】：1，本套练习包含以下题型：言语理解与表达题、常识判断题、数量关系题、判断推理题和资料分析题等题型；共135道。2、本套试题根据常见招考题总结归纳，主要用于练习答题思路和拓展知识面。3、本套试题非考试真题，且与西安电力电子技术研究所有限公司无关。一、第一部分言语理解与表达（本部分包括表达与理解两方面的内容。请根据题目要求，在...
2024年山东青岛华威通力电子技术有限公司招聘笔试冲刺题（带答案解析）【下载须知】：1，本套练习包含以下题型：言语理解与表达题、常识判断题、数量关系题、判断推理题和资料分析题等题型；共135道。2、本套试题根据常见招考题总结归纳，主要用于练习答题思路和拓展知识面。3、本套试题非考试真题，且与山东青岛华威通力电子技术有限公司无关。一、第一部分言语理解与表达（本部分包括表达与理解两方面的内容。请根据题目要求...
2024年北京星原丰泰电子技术股份有限公司招聘笔试冲刺题（带答案解析）【下载须知】：1，本套练习包含以下题型：言语理解与表达题、常识判断题、数量关系题、判断推理题和资料分析题等题型；共135道。2、本套试题根据常见招考题总结归纳，主要用于练习答题思路和拓展知识面。3、本套试题非考试真题，且与北京星原丰泰电子技术股份有限公司无关。一、第一部分言语理解与表达（本部分包括表达与理解两方面的内容。请根据题目要求...
2024年哈尔滨市电子技术服务站招聘笔试冲刺题（带答案解析）【下载须知】：1，本套练习包含以下题型：言语理解与表达题、常识判断题、数量关系题、判断推理题和资料分析题等题型；共135道。2、本套试题根据常见招考题总结归纳，主要用于练习答题思路和拓展知识面。3、本套试题非考试真题，且与哈尔滨市电子技术服务站无关。一、第一部分言语理解与表达（本部分包括表达与理解两方面的内容。请根据题目要求，在四个选项中选出一...
武汉市仪表电子技术公司招聘笔试题库2024一、第一部分言语理解与表达（本部分包括表达与理解两方面的内容。请根据题目要求，在四个选项中选出一个最恰当的答案。）1、严格意义上讲，我们食用的无花果并不是无花果植物的果实，而是膨大的花托。无花果的花托将雄蕊和雌蕊包裹起来，形成了一个类似果实的结构。无花果树是榕属植物，属亚热带落叶小乔木，树不高，小枝粗壮。无花果树原产沙特阿拉伯、也门等地。科学家在这些地区的古...
《模拟电子技术基础》复习题一、判断题1.“”在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为虚地。（）2.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）3.使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）4.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）5.利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（）6.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（）8...
第六章作业答案6.1.2已知状态表如表题6.1.2所示，输入为X1X0，试作出相应的状态图。现态Sn次态/输出(Sn+1/Z)X1X0=00X1X0=01X1X0=10X1X0=11S0S0/0S1/0S3/0S2/1S1S1/0S2/1S3/1S0/0S2S2/0S1/0S3/0S3/0S3S3/0S2/1S2/0S2/0解：根据状态表作出对应的状态图如下：6.1.3已知状态图如题图6.1.3所示，试列出其状态表。解：其状态表如下表：现态次态/输出X1X0=00X1X0=01X1X0=10X1X0=1100/01/10/01/010/01/11/11/16.1.8已知状态表如表题6.1....
第1章电路的基本定律与分析方法【思1.1.1】(a)图Uab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。(b)图Uab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。(c)图Uab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。(d)图Uab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。【思1.1.2】根据KCL定律可得(1)I2＝－I1＝－1A。(2)I2＝0，所以此时UCD＝0，但VA和VB不一定相等，所以UAB不一定等...
2-1、在题2-1图所示电路中，已知US=50V，R1=R2=5Ω，R3=20Ω，电路原已达到稳态。在t=0时断开开关S，试求换路后初始瞬间的iL、uC、uR2、uR3、iC、uL。5A(0)(0)LLii5A55500)(21SLRRUiS212C(0)URRRu换路前瞬间:25V50555根据换路定理:25V(0)(0)CCuuuCiLR1＋－LR3R2uLCiC＋－US＋－S(t=0)uR2＋－uR3＋－5AC(0)i100V20(5)(0)(0)3CR3Riu换路后瞬间的等效电路如...
第二章逻辑代数与逻辑化简检测题一、（1）b（2）a（3）b二、三、四、１．２．五、12.3.4.5.六、1.图T2.6.12．图T2.6.2七、（1）；（2）或或或；八、（１）用卡诺图化简，如图T2.8.1(a)所示，最简与或式为1画出用与门、或门实现的逻辑图如图T2.8.1(b)所示。（２）将化简后的与－或式变换成与非－与非式画出用与非门实现的逻辑图如图T2.8.1(c)所示。（３）画出给定函数的卡诺图，用已围０的方法画圈。如图T2.8.1(d)所示，得反函数...
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。1．2在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是少子是。1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。1．42APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)...
第1章数字电路基础1.1(1001010)2=1×26+1×23+1×21=(74)10(111001)2=1×25+1×24+1×23+1×20=(57)101.2(54)10=(110110)2(47)10=(101111)1.3(58A)16=(010110001010)2=1×210+1×28+1×27+1×23+1×21=1024+256+128+10=(1418)10或(58A)16=5×162+8×161+10×160=(1418)10(CE)16=(11001110)2=27+26+14=128+64+14=(206)10=(001000000110)8421BCD1.4a1.5c1.6c1.7(×)1.8(×)1.9(√)1.10①数字信号：在幅值上，时间上离散的（间断的...
目录第1章习题第2章习题第5章习题第7章习题第第88章习题章习题第第99章习题章习题第第1010章习题章习题第1章习题重点例题：例1.5，例1.8重点作业：1.9；1.151.6如图1.31所示电路，方框分别代表一个元件，各电压、电流的参考方向均已设定。已知I1=2A，I2=-1A，I3=3A，I4=1A，I5=-4A，I6=-5A，U1=4V，U2=-2V，U3=3V，U4=-1V，U5=-1V，U6=2V。求各元件的功率，并说明它们是吸收功率还是向外提供功率。P1=I1U1=8W；吸收功率P2=-I2U2...
第七章半导体存储器[题7.1]存储器和寄存器在电路结构和工作原理上有何不同？[解]参见第7.1节。[题7.2]动态存储器和静态存储器在电路结构和读/写操作上有何不同？[解]参见第7.3.1节和第7.3.2节。[题7.3]某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？[解]最大存储量为232×16=210×210×210×26=1K×1K×1K×26=64G[题7.4]试用4片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74LS13...
1、半导体第第11章半导体二极管及其应用电路章半导体二极管及其应用电路本征半导体本征半导体NN型型杂质半导体杂质半导体PP型型PNPN结：单向导电性结：单向导电性+5+5自由电子自由电子+3+3空穴空穴总复习总复习多子扩散、少子漂移温度2.二极管硅管硅管锗管锗管导通压降导通压降0.6~0.8V0.6~0.8V0.1~0.3V0.1~0.3VPND稳压二极管稳压二极管单向导电性：单向导电性：正向导通，反向截止。反向击穿区求二极管所在电路输出电压或画输...
第6章集成运算放大器在信号处理方面的应用6.1正弦波基波和高次谐波6.2高通带阻6.31/26.4c6.5b6.6ac6.7(√)6.8(√)6.9(×)6.10(×)6.11(1)通带电压放大倍数Aup=–(2)通带截止频率6.12因通带截止频率fn=故C=取标称值0.33,通带电压放大倍数Aup=1+11。6.13(1)干扰信号频率为1kHz，已知一阶低通滤波电路当f>>fn时，幅频特性下降斜率为–20dB/十倍频，为使干扰信号幅度衰减20dB，因此要求截止频率fn=,使f=1kHz干扰信号衰减20dB。(2)因...
电子技术基础知识点模拟电子技术基础中的常用公式7.1半导体器件基础GS0101由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为VT=kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602×10-19C；k为玻耳兹曼常数，k=1.381×10-23J／K。室温下，可求得VT=26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。...
