低压MOS器件项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位...............................
125.3结型场效应管(JFET)5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.2MOSFET放大电路5.5各种放大器件电路性能比较*5.4砷化镓金属-半导体场效应管3掌握场效应管的直流偏置电路及分析；场效应管放大器的微变等效电路分析法。4N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管分类：55.1金属－氧化物－半导体（MOS）场效应管MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分，其中每...
Theelectronicworldnoimpossible（电子世界没有不可能）MOS的种类及应用1.MOS管的种类2.MOS管的应用Theelectronicworldnoimpossible（电子世界没有不可能）MOS管的种类MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。Theelectronicworldnoimpossible（电子世界没有不可能）MOS...
1CMOSCMOS工艺流程与工艺流程与MOSMOS电路版图举电路版图举例例1.CMOS工艺流程1)简化N阱CMOS工艺演示flash2)清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程3)双阱CMOS集成电路的工艺设计4)图解双阱硅栅CMOS制作流程2.典型N阱CMOS工艺的剖面图3.SimplifiedCMOSProcessFlow4.MOS电路版图举例21)1)简化简化NN阱阱CMOSCMOS工艺演示工艺演示3氧化层生长氧化层生长光刻1，刻N阱掩膜版氧化层氧化层P-SUBP-SUB4曝光曝光光刻1，刻N阱掩膜版光刻胶掩...
场效应管的特性图1.1结场效管漏极输出曲线下面以N沟道.结型场效应管为例说明场效应管的特性.图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。（1）可变电阻区：图中VDS很小,曲线靠近左边。它表示管子预夹断前电压.电流关系是：当VDS较小时,由于VDS的变化对沟道大小影响不大,沟道电阻基本为一常数,ID基本随VGS作线性变化。当VGS恒定时,沟道导通电阻近似为一常数,从此意义上说,该区域为恒定...
