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05-MOSFET在感性负载下的开关损耗公式推导[共40页]
1MOSFET在感性负载下的开关损耗公式张兴柱博士2015年6月2一：分析MOSFET开关过程的原理图3(t)vgsDGS(t)id(t)iLoV(t)vd(t)is(t)vdsgV1：电流负载下的等效电路下面的分析中假定：---电感电流在开关过程中保持不变；---MOSFET要考虑其寄生参数；---二极管分两种情况（无反向恢复和有反向恢复）。42：分析用MOSFET的简化等效电路(t)vgsDGSgsCdsCgdC(t)id(t)iLoV(t)vd(t)is(t)vds(t)vdrivegg1Rgg2RgVids(t)gdossdsCCCgdissgsCCC...
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