POCL3多晶掺杂工艺的应用研究-基础科研总结

POCL3多晶掺杂工艺的应用争论一、课题来源1、由于多晶承受注磷掺杂剂量特别大，注入时间比较长，严峻占用了注入的产能，使得注入成为VDMOS不断上量的瓶颈工序；POCL3掺杂的引入能够缓解注入机的压力，同时释放注入的产能用于其他工序注入，提升VDMOS月产能；2、依据原多晶掺杂流程，需要在多晶注入后再增加一道多晶去胶，而改为POCL3掺杂后只需用5%HF作业简洁的后处理，可以削减多晶外表因去胶的颗粒沾污。同时，原工艺多晶注磷...