碳化硅MOSFET项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位..............................
电力MOSFET项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位................................
MOSFET项目可行性研究报告编写日期：二零二二年三月1目录第一章总论................................................................................11.1项目概要...............................................................11.1.1项目名称..................................................................................................................11.1.2项目建设单位....................................
MOSFET结构及工作原理，动态特性：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。电路符号如下图所示：下图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧...
问：MOSFET、IGBT、BJT各自适合于哪些应用？答：MOSFET是当今最主流的开关器件，价格较高，开关速度极快(从数十K到数M都可应用），从5W到数十万W的各类拓扑电源都有应用。相比于IGBT和BJT耐冲击性好，故障率低。由于电导率负温度系数，MOSFET可扩展性很好。大功率应用时，如成本不敏感，如军用、工业、高端消费产品，MOSFET是最优选择。低压大电流领域是MOSFET的强项。IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件，IGBT的优...
MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,简称功率MOSFET（PowerMOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistor--SIT）。其...
华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室IC工艺和版图设计第四章MOSFET版图设计主讲：黄炜炜Email：hww@hqu.edu.cn华侨大学电子工程系CopyrightbyHuangWeiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室参考文献1.AlanHastings著.张为译.模拟电路版图的艺术.第二版.电子工业出版社.CH11-12华侨大学电子工程系CopyrightbyHuangWeiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室本章主要内容MOSFET版图基础MOSFET版图...
MOSEFT分析：理解功率MOSFET的开关损耗本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。MOSFETMOSFETMOSFETMOSFET开关损耗开关损耗开关损耗开关损耗1111开通过程中开通过程中开通过程中开通过程中MOSFETMOSFETMOSFETMOSFET开关损耗开关损耗开关损耗开关损耗功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是：下面的开通...
华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室IC工艺和版图设计第四章MOSFET版图设计主讲：黄炜炜Email：hww@hqu.edu.cn华侨大学电子工程系CopyrightbyHuangWeiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室参考文献1.AlanHastings著.张为译.模拟电路版图的艺术.第二版.电子工业出版社.CH11-12华侨大学电子工程系CopyrightbyHuangWeiwei华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室本章主要内容MOSFET版图基础MOSFET版图...
电源工程师指南：大功率电源中MOSFET功耗的计算摘要：功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。也许,今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每...
